Características técnicas:

• Tipo de transistor: PNP
• Serie: 2N3906
• Encapsulado: TO-92
• Número de pines: 3
• Altura: 18 mm
• Longitud: 4.19 mm
• Ancho: 3.45 mm
• Peso por unidad: 0.18 g
• VCBO máximo (Colector-Base): 40V
• VCEO máximo (Colector-Emisor): 40V
• VEBO máximo (Emisor-Base): 5V
• Corriente de colector (Ic): 200 mA
• Disipación de potencia (Pd): 625 mW
• Ganancia DC (hFE): 300
• Ancho de banda (fT): 250 MHz
• Voltaje de saturación CE: 400 mV
• Temperatura de operación: -55°C a +150°C